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NX1029X,115
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 60 V, 60 V, 330 mA, 330 mA, 1 ohm
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FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantNX1029X,115Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5895
Mise en bobine85Y0083RL
Bandes découpées85Y0083
Votre numéro de pièce
23 454 En Stock
23 454 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,626 $ | 3,13 $ |
| Total Prix | 3,13 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,626 $ |
| 10+ | 0,385 $ |
| 15+ | 0,354 $ |
| 25+ | 0,325 $ |
| 50+ | 0,295 $ |
| 125+ | 0,243 $ |
| 250+ | 0,213 $ |
| 500+ | 0,181 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 4000+ | 0,131 $ |
| 12000+ | 0,113 $ |
| 20000+ | 0,110 $ |
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantNX1029X,115Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5895
Mise en bobine85Y0083RL
Bandes découpées85Y0083
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id330mA
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id N Channel330mA
Continuous Drain Current Id P Channel330mA
Drain Source On State Resistance N Channel1ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1ohm
Transistor Case StyleSOT-666
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel330mW
Power Dissipation P Channel330mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
330mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
330mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
330mA
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
330mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1ohm
Transistor Case Style
SOT-666
Power Dissipation N Channel
330mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit