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NX1029XH
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 60 V, 60 V, 330 mA, 330 mA, 1 ohm
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FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantNX1029XHCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant8 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5896
Mise en bobine17AH9218
Bandes découpées17AH9218
Votre numéro de pièce
2 385 En Stock
2 385 disponibles sur {packagingType}
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,530 $ | 1,53 $ |
| Total Prix | 1,53 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,530 $ |
| 10+ | 1,060 $ |
| 25+ | 0,930 $ |
| 50+ | 0,801 $ |
| 100+ | 0,672 $ |
| 250+ | 0,548 $ |
| 500+ | 0,422 $ |
| 1000+ | 0,370 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 4000+ | 0,202 $ |
| 8000+ | 0,192 $ |
| 16000+ | 0,182 $ |
| 24000+ | 0,171 $ |
| 40000+ | 0,159 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantNX1029XHCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant8 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5896
Mise en bobine17AH9218
Bandes découpées17AH9218
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id330mA
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id N Channel330mA
Continuous Drain Current Id P Channel330mA
Drain Source On State Resistance N Channel1ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1ohm
Transistor Case StyleSOT-666
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel500mW
Power Dissipation P Channel500mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
330mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
500mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
330mA
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
330mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1ohm
Transistor Case Style
SOT-666
Power Dissipation N Channel
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit