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NX3008CBKV,115
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1 ohm
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FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantNX3008CBKV,115Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande75T7840
Votre numéro de pièce
875 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,639 $ |
| 10+ | 0,391 $ |
| 15+ | 0,354 $ |
| 25+ | 0,318 $ |
| 50+ | 0,282 $ |
| 125+ | 0,246 $ |
| 250+ | 0,215 $ |
| 500+ | 0,183 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 5
Multiple: 5
3,20 $
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantNX3008CBKV,115Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande75T7840
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id400mA
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel400mA
Continuous Drain Current Id P Channel400mA
Drain Source On State Resistance N Channel1ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1ohm
Transistor Case StyleSOT-666
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel330mW
Power Dissipation P Channel330mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The NX3008CBKV is a N/P-channel complementary enhancement-mode MOSFET in a very small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for level shifter, power supply converter, load switch and switching circuit applications.
- Very fast switching characteristics
- Low threshold voltage
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
400mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
330mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
400mA
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
400mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1ohm
Transistor Case Style
SOT-666
Power Dissipation N Channel
330mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit