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NX3008NBKS,115
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohm
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FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantNX3008NBKS,115Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK7650
Mise en bobine75T7842RL
Bandes découpées75T7842
Votre numéro de pièce
40 021 En Stock
40 021 disponibles sur {packagingType}
2 880 disponibles sur {packagingType}
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,514 $ | 2,57 $ |
| Total Prix | 2,57 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,514 $ |
| 10+ | 0,317 $ |
| 15+ | 0,292 $ |
| 25+ | 0,267 $ |
| 50+ | 0,242 $ |
| 125+ | 0,199 $ |
| 250+ | 0,174 $ |
| 500+ | 0,147 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,117 $ |
| 9000+ | 0,099 $ |
| 15000+ | 0,097 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantNX3008NBKS,115Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK7650
Mise en bobine75T7842RL
Bandes découpées75T7842
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id350mA
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id N Channel350mA
Continuous Drain Current Id P Channel350mA
Drain Source On State Resistance N Channel1ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel445mW
Power Dissipation P Channel445mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The NX3008NBKS is a dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a surface mounted device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Suitable for high-speed line driver and low-side loadswitch.
- Very fast switching
- Low threshold voltage
- Up to 2kV ESD protection
- AEC-Q101 Qualified
Applications
Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
350mA
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
350mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
445mW
Product Range
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
350mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
445mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit