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NX7002AK,215
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 190 mA, 3 ohm, TO-236AB, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
5 158 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,177 $ |
| 10+ | 0,167 $ |
| 100+ | 0,066 $ |
| 500+ | 0,056 $ |
| 1000+ | 0,046 $ |
| 2500+ | 0,041 $ |
| 12000+ | 0,035 $ |
| 27000+ | 0,032 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 5
Multiple: 5
0,88 $
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantNX7002AK,215
Code Commande43W6129
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id190mA
On Resistance Rds(on)3ohm
Drain Source On State Resistance3ohm
Transistor Case StyleTO-236AB
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd265mW
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation265mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The NX7002AK is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a Surface Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
- Very Fast Switching
- ESD Protection Upto 1.5kV
Applications
Audio, Power Management, Signal Processing
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
190mA
Drain Source On State Resistance
3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
265mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
3ohm
Transistor Case Style
TO-236AB
Power Dissipation Pd
265mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits