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PHB21N06LT,118
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 19 A, 70 mohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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15 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,170 $ | 2,17 $ |
| Total Prix | 2,17 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,170 $ |
| 50+ | 1,100 $ |
| 100+ | 0,994 $ |
| 250+ | 0,974 $ |
| 500+ | 0,954 $ |
| 1000+ | 0,934 $ |
| 2500+ | 0,915 $ |
| 5000+ | 0,895 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPHB21N06LT,118Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande
Mise en bobine74AH1097RL
Bandes découpées74AH1097
Gamme de produitTrenchMOS
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id19A
Drain Source On State Resistance70mohm
On Resistance Rds(on)0.055ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation56W
Power Dissipation Pd56W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchMOS
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
70mohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
56W
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchMOS
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
19A
On Resistance Rds(on)
0.055ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
Power Dissipation Pd
56W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit