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PMCPB5530X,115
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.026 ohm
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FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPMCPB5530X,115Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande84W8052
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,180 $ |
| 10+ | 0,762 $ |
| 15+ | 0,701 $ |
| 25+ | 0,641 $ |
| 50+ | 0,580 $ |
| 125+ | 0,518 $ |
| 250+ | 0,509 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 5
Multiple: 5
5,90 $
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPMCPB5530X,115Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande84W8052
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id5.3A
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel5.3A
Continuous Drain Current Id P Channel5.3A
Drain Source On State Resistance N Channel0.026ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.026ohm
Transistor Case StyleSOT-1118
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.17W
Power Dissipation P Channel1.17W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The PMCPB5530X is a N/P-channel complementary enhancement-mode FET in a small and leadless ultra thin surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for DC-to-DC converters and small brushless DC motor drive applications.
- Very fast switching characteristics
- Exposed drain pad for excellent thermal conduction
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
5.3A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.026ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.17W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
5.3A
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
5.3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.026ohm
Transistor Case Style
SOT-1118
Power Dissipation N Channel
1.17W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit