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PMF170XP,115
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 1 A, 0.2 ohm, SOT-323, Surface Mount
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25 553 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,376 $ |
| 10+ | 0,255 $ |
| 100+ | 0,162 $ |
| 500+ | 0,103 $ |
| 1000+ | 0,091 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 5
Multiple: 5
1,88 $
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPMF170XP,115
Code Commande75T8013
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1A
Drain Source On State Resistance0.2ohm
On Resistance Rds(on)0.175ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd290mW
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation290mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The PMF170XP is a P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor with low drain-source on-state resistance and fast switching.
- Trench MOSFET technology
- Very fast switching
Applications
Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1A
On Resistance Rds(on)
0.175ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
290mW
Power Dissipation
290mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.2ohm
Transistor Case Style
SOT-323
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits