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PMN25ENEX
MOSFET, N-CH, 30V, 8A, SOT-457-6
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FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPMN25ENEXCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Mise en bobine65AC3934RL
Bandes découpées65AC3934
Votre numéro de pièce
12 118 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 1,000 $ | 5,00 $ |
| Total Prix | 5,00 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,000 $ |
| 15+ | 0,638 $ |
| 25+ | 0,626 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPMN25ENEXCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Mise en bobine65AC3934RL
Bandes découpées65AC3934
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.017ohm
On Resistance Rds(on)0.017ohm
Transistor Case StyleSOT-457
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd560mW
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation560mW
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.017ohm
Transistor Case Style
SOT-457
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
On Resistance Rds(on)
0.017ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
560mW
Power Dissipation
560mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit