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PMPB08R5XNX
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 11 A, 0.0085 ohm, DFN2020M, Surface Mount
1 488 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,120 $ | 2,12 $ |
| Total Prix | 2,12 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,120 $ |
| 50+ | 1,330 $ |
| 100+ | 0,903 $ |
| 250+ | 0,897 $ |
| 500+ | 0,890 $ |
| 1000+ | 0,885 $ |
| 2500+ | 0,878 $ |
| 5000+ | 0,824 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPMPB08R5XNXCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande
Mise en bobine27AJ4857RL
Bandes découpées27AJ4857
Gamme de produitTrench
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source On State Resistance8500µohm
On Resistance Rds(on)0.0085ohm
Transistor Case StyleDFN2020M
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max750mV
Power Dissipation Pd1.9W
Power Dissipation1.9W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
8500µohm
Transistor Case Style
DFN2020M
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
1.9W
No. of Pins
6Pins
Product Range
Trench
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
11A
On Resistance Rds(on)
0.0085ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
750mV
Power Dissipation
1.9W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit