Imprimer la page
PMPB20EN,115
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 10.4 A, 0.0165 ohm, SOT-1220, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPMPB20EN,115Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande43W6162
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,950 $ |
| 10+ | 0,713 $ |
| 100+ | 0,387 $ |
| 500+ | 0,370 $ |
| 1000+ | 0,353 $ |
| 2500+ | 0,295 $ |
| 12000+ | 0,234 $ |
| 27000+ | 0,230 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 5
Multiple: 5
4,75 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPMPB20EN,115Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande43W6162
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id10.4A
Drain Source On State Resistance0.0165ohm
On Resistance Rds(on)0.0165ohm
Transistor Case StyleSOT-1220
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd1.7W
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation1.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The PMPB20EN is a N-channel enhancement-mode FET in a leadless medium power surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in charging switch for portable devices, DC-to-DC converters and hard disk and computing power management applications.
- Very fast switching
- Small and leadless ultra thin SMD plastic package
- Exposed drain pad for excellent thermal conduction
- Tin-plated 100% solderable side pads for optical solder inspection
- -55 to 150°C Junction temperature range
Applications
Power Management, Computers & Computer Peripherals, Portable Devices, Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10.4A
On Resistance Rds(on)
0.0165ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.7W
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0165ohm
Transistor Case Style
SOT-1220
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit