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PMV16XNR
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 6.8 A, 0.02 ohm, TO-236AB, Surface Mount
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPMV16XNR
Code Commande68Y7841
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id6.8A
On Resistance Rds(on)0.016ohm
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-236AB
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd510mW
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max650mV
Power Dissipation510mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The PMV16XN is a N-channel enhancement-mode FET in a small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in LED driver, low-side load-switch and switching circuit applications.
- Low threshold voltage
- Very fast switching
- Enhanced power dissipation capability of 1200mW
- -55 to 150°C Junction temperature range
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.016ohm
Transistor Case Style
TO-236AB
Power Dissipation Pd
510mW
Gate Source Threshold Voltage Max
650mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.8A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
510mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour PMV16XNR
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit