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PMV213SN,215
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-23, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,244 $ |
| 10+ | 0,244 $ |
| 25+ | 0,244 $ |
| 50+ | 0,244 $ |
| 100+ | 0,244 $ |
| 250+ | 0,224 $ |
| 500+ | 0,207 $ |
| 1000+ | 0,207 $ |
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPMV213SN,215
Code Commande97K7752
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id1.9A
Drain Source On State Resistance0.25ohm
On Resistance Rds(on)0.213ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd2W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation2W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produits de remplacement pour PMV213SN,215
2 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
The PMV213SN is a N-channel standard level enhancement-mode FET in a plastic package using TrenchMOS® technology. It is suitable for use in DC-to-DC convertors switching applications.
- Low conduction losses due to low ON-state resistance
- -55 to 150°C Junction temperature range
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.25ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.9A
On Resistance Rds(on)
0.213ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2W
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits