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PMV45EN2R
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 5.1 A, 35 mohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPMV45EN2RCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5982
Mise en bobine44AC2810RL
Bandes découpées44AC2810
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,623 $ | 0,62 $ |
| Total Prix | 0,62 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,623 $ |
| 50+ | 0,291 $ |
| 100+ | 0,259 $ |
| 250+ | 0,231 $ |
| 500+ | 0,202 $ |
| 1000+ | 0,197 $ |
| 2500+ | 0,193 $ |
| 5000+ | 0,189 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,196 $ |
| 9000+ | 0,178 $ |
| 15000+ | 0,151 $ |
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPMV45EN2RCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant54 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5982
Mise en bobine44AC2810RL
Bandes découpées44AC2810
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id5.1A
Drain Source On State Resistance0.042ohm
On Resistance Rds(on)0.035ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd510mW
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation510mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
PMV45EN2R is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, switching circuits.
- Logic level compatible, very fast switching
- Drain-source breakdown voltage is 30V min at ID = 250µA; VGS = 0V; Tj = 25°C
- Gate-source threshold voltage is 1.5V typ at ID = 250µA; VDS=VGS; Tj = 25°C
- Drain leakage current is 1µA max at VDS = 30V; VGS = 0V; Tj = 25°C
- Drain-source on-state resistance is 35mohm typ at VGS = 10V; ID = 4.1A; Tj = 25°C
- Source-drain voltage is 0.8V typ at IS = 1A; VGS = 0V; Tj = 25°C
- Rise time is 12ns typ at VDS = 15 V; ID = 3.2A; VGS = 10V;RG(ext) = 6ohm; Tj = 25°C
- Fall time is 2ns typ at VDS = 15 V; ID = 3.2A; VGS = 10V;RG(ext) = 6ohm; Tj = 25°C
- Ambient temperature range from -55°C to +150°C
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.042ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
510mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.1A
On Resistance Rds(on)
0.035ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
510mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit