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PMV65XPER
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2.8 A, 0.078 ohm, TO-236AB, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,100 $ |
| 10+ | 0,645 $ |
| 25+ | 0,565 $ |
| 50+ | 0,484 $ |
| 100+ | 0,405 $ |
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPMV65XPER
Code Commande74AH1170
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.8A
On Resistance Rds(on)0.067ohm
Drain Source On State Resistance0.078ohm
Transistor Case StyleTO-236AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation Pd480mW
Power Dissipation480mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.067ohm
Transistor Case Style
TO-236AB
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
480mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.8A
Drain Source On State Resistance
0.078ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
480mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour PMV65XPER
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits