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PMXB360ENEAZ
MOSFET, N-CH, 80V, 1.1A, DFN1010D ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 59 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5000+ | 0,280 $ |
| 10000+ | 0,269 $ |
| 20000+ | 0,259 $ |
| 30000+ | 0,248 $ |
| 50000+ | 0,233 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 5000
Multiple: 5000
1 400,00 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPMXB360ENEAZ
Code Commande86AK5991
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id1.1A
Drain Source On State Resistance0.345ohm
Transistor Case StyleDFN1010D
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation400mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.1A
Transistor Case Style
DFN1010D
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
400mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.345ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Produits de remplacement pour PMXB360ENEAZ
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits