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PSMN0R9-25YLC,115
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 100 A, 990 µohm, SOT-669, Surface Mount
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FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPSMN0R9-25YLC,115Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6000
Mise en bobine55T6965RL
Bandes découpées55T6965
Votre numéro de pièce
4 223 En Stock
4 223 disponibles sur {packagingType}
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,680 $ | 3,68 $ |
| Total Prix | 3,68 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,680 $ |
| 50+ | 1,790 $ |
| 100+ | 1,610 $ |
| 250+ | 1,460 $ |
| 500+ | 1,300 $ |
| 1000+ | 1,270 $ |
| 2500+ | 1,250 $ |
| 5000+ | 1,220 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1500+ | 1,600 $ |
| 4500+ | 1,470 $ |
| 7500+ | 1,450 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPSMN0R9-25YLC,115Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6000
Mise en bobine55T6965RL
Bandes découpées55T6965
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)750µohm
Drain Source On State Resistance990µohm
Transistor Case StyleSOT-669
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd137W
Gate Source Threshold Voltage Max1.41V
Power Dissipation137W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The PSMN0R9-25YLC is a 25V logic level N-channel Enhancement Mode MOSFET using NextPower technology. Optimised for 4.5V gate drive utilising NextPower Superjunction technology. This device is designed for power OR-ing, server power supplies and sync rectifier applications.
- Ultra low QG, QGD and QOSS for high system efficiencies at low and high loads
- Ultra low RDS (ON) and low parasitic inductance
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
25V
On Resistance Rds(on)
750µohm
Transistor Case Style
SOT-669
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.41V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
990µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
137W
Power Dissipation
137W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour PSMN0R9-25YLC,115
6 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit