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PSMN1R0-30YLC,115
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 100 A, 0.00115 ohm, SOT-669, Surface Mount
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FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPSMN1R0-30YLC,115Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6010
Mise en bobine55T6966RL
Bandes découpées55T6966
Votre numéro de pièce
680 En Stock
680 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,090 $ | 3,09 $ |
| Total Prix | 3,09 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,090 $ |
| 50+ | 2,060 $ |
| 100+ | 1,520 $ |
| 250+ | 1,370 $ |
| 500+ | 1,230 $ |
| 1000+ | 1,100 $ |
| 2500+ | 1,030 $ |
| 5000+ | 0,974 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1500+ | 1,750 $ |
| 4500+ | 1,610 $ |
| 7500+ | 1,580 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPSMN1R0-30YLC,115Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6010
Mise en bobine55T6966RL
Bandes découpées55T6966
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.00115ohm
On Resistance Rds(on)850µohm
Transistor Case StyleSOT-669
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd137W
Gate Source Threshold Voltage Max1.41V
Power Dissipation137W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The PSMN1R0-30YLC is a N-channel enhancement-mode logic level MOSFET optimised for 4.5V gate drive utilising NextPower Superjunction technology. It is designed and qualified for use in a wide range of DC-to-DC converters, lithium-ion battery protection, load switching, power O-ring, server power supplies, sync rectifier and domestic equipment applications.
- Ultra-low QG, QGD and QOSS for high system efficiencies at low and high loads
- Ultra-low RDS (ON) and low parasitic inductance
- -55 to 175°C Junction temperature range
Applications
Power Management, Communications & Networking, Consumer Electronics, Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
On Resistance Rds(on)
850µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
137W
Power Dissipation
137W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.00115ohm
Transistor Case Style
SOT-669
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.41V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour PSMN1R0-30YLC,115
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit