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PSMN3R0-30YLDX
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerSO, Surface Mount
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FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPSMN3R0-30YLDXCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6013
Mise en bobine61X9878RL
Bandes découpées61X9878
Votre numéro de pièce
2 834 En Stock
2 834 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,870 $ | 2,87 $ |
| Total Prix | 2,87 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,870 $ |
| 50+ | 2,020 $ |
| 100+ | 1,330 $ |
| 250+ | 1,190 $ |
| 500+ | 1,050 $ |
| 1000+ | 0,917 $ |
| 2500+ | 0,807 $ |
| 5000+ | 0,724 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1500+ | 1,170 $ |
| 3000+ | 1,130 $ |
| 6000+ | 1,080 $ |
| 9000+ | 1,020 $ |
| 15000+ | 0,958 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPSMN3R0-30YLDXCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6013
Mise en bobine61X9878RL
Bandes découpées61X9878
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)0.0026ohm
Drain Source On State Resistance3100µohm
Transistor Case StylePowerSO
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd91W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation91W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The PSMN3R0-30YLD is a N-channel enhancement-mode logic level gate drive MOSFET optimised for 4.5V gate drive. NextPowerS3 portfolio utilising NXP's unique SchottkyPlus technology delivers high efficiency, low spiking performance usually associated with MOSFETs with an integrated Schottky or Schottky-like diode but without problematic high leakage current. NextPowerS3 is particularly suited to high efficiency applications at high switching frequencies.
- Ultra-low QG, QGD and QOSS for high system efficiency, especially at higher switching frequencies
- Superfast switching with soft-recovery (s-factor>1)
- Low spiking and ringing for low EMI designs
- Unique SchottkyPlus technology
- Schottky-like performance with <1µA leakage at 25°C
- Low parasitic inductance and resistance
- High reliability clip bonded and solder die attach power SO8 package
- No glue, no wire bonds, qualified to 175°C
- Wave solderable, exposed leads for optimal visual solder inspection
- -55 to 175°C Junction temperature range
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0026ohm
Transistor Case Style
PowerSO
Power Dissipation Pd
91W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
3100µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
91W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit