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PSMN3R3-40YS,115
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 0.0026 ohm, SOT-669, Surface Mount
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FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPSMN3R3-40YS,115Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande
Mise en bobine13T9544RL
Bandes découpées13T9544
Votre numéro de pièce
1 356 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,720 $ | 2,72 $ |
| Total Prix | 2,72 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,720 $ |
| 50+ | 1,300 $ |
| 100+ | 1,170 $ |
| 250+ | 1,040 $ |
| 500+ | 0,922 $ |
| 1000+ | 0,904 $ |
| 2500+ | 0,884 $ |
| 5000+ | 0,866 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPSMN3R3-40YS,115Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande
Mise en bobine13T9544RL
Bandes découpées13T9544
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.0026ohm
On Resistance Rds(on)0.0026ohm
Transistor Case StyleSOT-669
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd117W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation117W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The PSMN3R3-40YS is a N-channel standard level MOSFET with advanced TrenchMOS technology provides low RDS (ON) and low gate charge. It is designed and qualified for use in a wide range of DC-to-DC convertor, lithium-ion battery protection, load switching, server power supplies and domestic equipment applications.
- Improved mechanical and thermal characteristics
- High efficiency gains in switching power converters
- LFPAK provides maximum power density in a power SO8 package
- -55 to 175°C Junction temperature range
Applications
Power Management, Communications & Networking, Consumer Electronics, Motor Drive & Control, Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
On Resistance Rds(on)
0.0026ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
117W
Power Dissipation
117W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0026ohm
Transistor Case Style
SOT-669
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour PSMN3R3-40YS,115
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit