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PSMN8R9-100BSEJ
MOSFET, N-CH, 100V, 75A, TO-263
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FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPSMN8R9-100BSEJCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande21AJ6801
Votre numéro de pièce
596 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 11,440 $ |
| 10+ | 11,050 $ |
| 25+ | 10,670 $ |
| 50+ | 10,250 $ |
| 100+ | 9,860 $ |
| 250+ | 7,040 $ |
| 500+ | 4,220 $ |
| 1600+ | 3,770 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
11,44 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPSMN8R9-100BSEJCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande21AJ6801
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id75A
Drain Source On State Resistance8000µohm
On Resistance Rds(on)0.008ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation296W
Power Dissipation Pd296W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
8000µohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
296W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
75A
On Resistance Rds(on)
0.008ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Power Dissipation Pd
296W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit