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PSMNR89-25YLEX
MOSFET, N-CH, 30V, 270A, SOT-669
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FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPSMNR89-25YLEXCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant31 semaines
Code Commande
Mise en bobine62AK1905RL
Bandes découpées62AK1905
Votre numéro de pièce
1 499 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 7,480 $ | 7,48 $ |
| Total Prix | 7,48 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,480 $ |
| 50+ | 4,870 $ |
| 100+ | 3,390 $ |
| 250+ | 3,080 $ |
| 500+ | 2,770 $ |
| 1000+ | 2,710 $ |
| 2500+ | 2,660 $ |
| 5000+ | 2,600 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantNEXPERIA
Réf. FabricantPSMNR89-25YLEXCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant31 semaines
Code Commande
Mise en bobine62AK1905RL
Bandes découpées62AK1905
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id270A
Drain Source On State Resistance850µohm
Transistor Case StyleSOT-669
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation224W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
270A
Transistor Case Style
SOT-669
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
224W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
850µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit