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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant1N5822G
Code Commande42K2952
Fiche technique
Repetitive Peak Reverse Voltage40V
Average Forward Current3A
Diode ConfigurationSingle
Diode Case StyleDO-201AD
No. of Pins2Pins
Forward Voltage Max525mV
Forward Surge Current80A
Operating Temperature Max125°C
Diode MountingThrough Hole
Product Range-
Qualification-
SVHCLead
Aperçu du produit
The 1N5822G is a 2-pin 40V general purpose Schottky Barrier Rectifier features an epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap contact. The Schottky rectifier employs the Schottky barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. It has state-of-the-art geometry. It is ideally suited for use as rectifier in low-voltage, high-frequency inverters, freewheeling diodes and polarity protection diodes.
- Extremely low vF
- Low power loss/high efficiency
- Low stored charge, majority carrier conduction
- Cathode indicated by polarity band
Applications
Industrial, Automation & Process Control, Signal Processing
Spécifications techniques
Repetitive Peak Reverse Voltage
40V
Diode Configuration
Single
No. of Pins
2Pins
Forward Surge Current
80A
Diode Mounting
Through Hole
Qualification
-
Average Forward Current
3A
Diode Case Style
DO-201AD
Forward Voltage Max
525mV
Operating Temperature Max
125°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour 1N5822G
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits