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2N7000TA
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Through Hole
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FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2N7000TACopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Mise en bobine31Y5851RL
Bandes découpées31Y5851
Votre numéro de pièce
2 844 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,798 $ | 3,99 $ |
| Total Prix | 3,99 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,798 $ |
| 15+ | 0,507 $ |
| 25+ | 0,497 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2N7000TACopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Mise en bobine31Y5851RL
Bandes découpées31Y5851
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id200mA
Drain Source On State Resistance5ohm
On Resistance Rds(on)5ohm
Transistor Case StyleTO-226AA
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.9V
Power Dissipation400mW
Power Dissipation Pd400mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The 2N7000TA is a N-channel enhancement mode Field Effect Transistor is produced using high cell density and DMOS technology. It minimize on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. They can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed currents up to 2A. These products are particularly suited for low-voltage, low-current applications, such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications.
- Fast switching
- Lower input capacitance
- Extended safe operating area
- Improved inductive ruggedness
- Improved high temperature reliability
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Case Style
TO-226AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
400mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
200mA
On Resistance Rds(on)
5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.9V
Power Dissipation Pd
400mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit