Imprimer la page
2N7002W
Power MOSFET, N Channel, 78 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-323, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2N7002WCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Bobine complète10N3236
Bobine complète86AK6742
Mise en bobine31Y5854RL
Bandes découpées31Y5854
Votre numéro de pièce
812 En Stock
812 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,584 $ | 0,58 $ |
| Total Prix | 0,58 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,584 $ |
| 50+ | 0,364 $ |
| 100+ | 0,239 $ |
| 250+ | 0,212 $ |
| 500+ | 0,185 $ |
| 1000+ | 0,166 $ |
| 2500+ | 0,163 $ |
| 5000+ | 0,159 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,151 $ |
| 6000+ | 0,153 $ |
| 12000+ | 0,114 $ |
| 18000+ | 0,150 $ |
| 30000+ | 0,147 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. Fabricant2N7002WCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Bobine complète10N3236
Bobine complète86AK6742
Mise en bobine31Y5854RL
Bandes découpées31Y5854
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds78V
Continuous Drain Current Id115mA
On Resistance Rds(on)2.53ohm
Drain Source On State Resistance13.5ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd200mW
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.76V
Power Dissipation200mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The 2N7002W is a N-channel enhancement-mode FET with low ON-resistance and low gate threshold voltage.
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Low input/output leakage
- Ultra-small surface-mount package
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
78V
On Resistance Rds(on)
2.53ohm
Transistor Case Style
SOT-323
Power Dissipation Pd
200mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1.76V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
115mA
Drain Source On State Resistance
13.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
200mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour 2N7002W
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit