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BD13916STU
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Through Hole
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantBD13916STU
Code Commande82C0701
Fiche technique
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max80V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo80V
Continuous Collector Current1.5A
Power Dissipation1.25W
Power Dissipation Pd1.25W
DC Collector Current1.5A
Transistor Case StyleTO-126
DC Current Gain hFE100hFE
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min100hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The BD13916STU is a 80V NPN Epitaxial Silicon Transistor for medium power linear and switching applications. It is complement to BD140 transistor. This product is general usage and suitable for many different applications.
- 80V Collector to base voltage (VCBO)
- 5V Emitter to base voltage (VEBO)
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
80V
Power Dissipation
1.25W
DC Collector Current
1.5A
DC Current Gain hFE
100hFE
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
100hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
80V
Continuous Collector Current
1.5A
Power Dissipation Pd
1.25W
Transistor Case Style
TO-126
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits