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FCH47N60-F133
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 47 A, 58 mohm, TO-247AB, Through Hole
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFCH47N60-F133Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande88T3232
Votre numéro de pièce
1 189 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 19,610 $ |
| 10+ | 17,580 $ |
| 25+ | 15,550 $ |
| 50+ | 13,520 $ |
| 100+ | 12,800 $ |
| 250+ | 12,190 $ |
| 500+ | 11,960 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
19,61 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFCH47N60-F133Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande88T3232
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id47A
Drain Source On State Resistance58mohm
On Resistance Rds(on)0.058ohm
Transistor Case StyleTO-247AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd417W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation417W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FCH47N60_F133 is a N-channel SuperFET® high voltage super-junction MOSFET utilizes charge balance technology for outstanding low ON-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dV/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
- Ultra low gate charge (Qg = 210nC)
- Low effective output capacitance (Coss.eff = 420pF)
- 100% avalanche tested
Applications
Industrial, Power Management, Communications & Networking, Alternative Energy
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
47A
On Resistance Rds(on)
0.058ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
417W
Power Dissipation
417W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
58mohm
Transistor Case Style
TO-247AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit