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FCMT125N65S3
MISCELLANEOUS MOSFETS
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFCMT125N65S3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Bobine complète73AC4658
Mise en bobine84AC6664RL
Bandes découpées84AC6664
Gamme de produitSUPERFET III
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 12 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 9,830 $ | 9,83 $ |
| Total Prix | 9,83 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 9,830 $ |
| 50+ | 6,750 $ |
| 100+ | 5,060 $ |
| 250+ | 4,910 $ |
| 500+ | 4,770 $ |
| 1000+ | 4,760 $ |
| 2500+ | 4,660 $ |
| 5000+ | 4,570 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 4,580 $ |
| 9000+ | 4,480 $ |
| 15000+ | 4,400 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFCMT125N65S3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Bobine complète73AC4658
Mise en bobine84AC6664RL
Bandes découpées84AC6664
Gamme de produitSUPERFET III
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id24A
On Resistance Rds(on)0.1ohm
Drain Source On State Resistance0.125ohm
Transistor Case StylePQFN
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd181W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation181W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSUPERFET III
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.1ohm
Transistor Case Style
PQFN
Power Dissipation Pd
181W
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
4Pins
Product Range
SUPERFET III
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
24A
Drain Source On State Resistance
0.125ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
181W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour FCMT125N65S3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit