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FCP850N80Z
MOSFET, N-CH, 800V, 8A, TO-220-3
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFCP850N80ZCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande84Y5820
Gamme de produitSuperFET II
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 14 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,960 $ |
| 10+ | 4,140 $ |
| 100+ | 3,110 $ |
| 500+ | 2,840 $ |
| 1000+ | 2,560 $ |
| 2500+ | 2,440 $ |
| 5000+ | 2,390 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
5,96 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFCP850N80ZCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande84Y5820
Gamme de produitSuperFET II
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.85ohm
On Resistance Rds(on)0.71ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd136W
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation136W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSuperFET II
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.85ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
SuperFET II
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
On Resistance Rds(on)
0.71ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
136W
Power Dissipation
136W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit