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59 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 10,140 $ |
| 10+ | 8,860 $ |
| 25+ | 7,580 $ |
| 50+ | 6,300 $ |
| 100+ | 5,870 $ |
| 250+ | 5,450 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
10,14 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDA28N50
Code Commande54AH8611
Gamme de produitUniFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source On State Resistance0.155ohm
On Resistance Rds(on)0.122ohm
Transistor Case StyleTO-3PN
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation310W
Power Dissipation Pd310W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeUniFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.155ohm
Transistor Case Style
TO-3PN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
310W
No. of Pins
3Pins
Product Range
UniFET
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
28A
On Resistance Rds(on)
0.122ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
310W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits