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FDB060AN08A0
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 80 A, 0.006 ohm, TO-263AB, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDB060AN08A0Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande35H6704
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 43 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 800+ | 3,520 $ |
| 1600+ | 3,450 $ |
| 2400+ | 3,380 $ |
| 4000+ | 3,310 $ |
| 8000+ | 3,240 $ |
| 20000+ | 3,170 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 800
Multiple: 800
2 816,00 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDB060AN08A0Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande35H6704
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id80A
On Resistance Rds(on)0.006ohm
Drain Source On State Resistance0.006ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd255W
Transistor Case StyleTO-263AB
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation255W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
75V
On Resistance Rds(on)
0.006ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
255W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Drain Source On State Resistance
0.006ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-263AB
Power Dissipation
255W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit