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FDC2612
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 1.1 A, 0.605 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC2612Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Bobine complète82C2439
Mise en bobine31Y1343
Bandes découpées31Y1343
Votre numéro de pièce
45 443 En Stock
3 443 disponibles sur {packagingType}
42 000 disponibles sur {packagingType}
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,630 $ | 1,63 $ |
| Total Prix | 1,63 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,630 $ |
| 10+ | 1,030 $ |
| 25+ | 0,908 $ |
| 50+ | 0,791 $ |
| 100+ | 0,673 $ |
| 250+ | 0,599 $ |
| 500+ | 0,523 $ |
| 1000+ | 0,474 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,599 $ |
| 6000+ | 0,561 $ |
| 12000+ | 0,534 $ |
| 18000+ | 0,507 $ |
| 30000+ | 0,490 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC2612Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Bobine complète82C2439
Mise en bobine31Y1343
Bandes découpées31Y1343
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id1.1A
Drain Source On State Resistance0.605ohm
On Resistance Rds(on)0.605ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.6W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation1.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDC2612 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS (ON) and fast switching speed.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- Fast switching speed
- 8nC typical low gate charge
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.605ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
1.6W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.1A
On Resistance Rds(on)
0.605ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour FDC2612
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit