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FDC608PZ
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 5.8 A, 30 mohm, SuperSOT, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC608PZCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande
Bobine complète30M0737
Bobine complète85AC1768
Bandes découpées85W3136
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 14 semaine(s)
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 3000 | 0,405 $ | 1 215,00 $ |
| Total Prix | 1 215,00 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,405 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,421 $ |
| 6000+ | 0,394 $ |
| 9000+ | 0,414 $ |
| 12000+ | 0,375 $ |
| 15000+ | 0,389 $ |
| 18000+ | 0,355 $ |
| 30000+ | 0,344 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC608PZCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande
Bobine complète30M0737
Bobine complète85AC1768
Bandes découpées85W3136
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id5.8A
Drain Source On State Resistance30mohm
On Resistance Rds(on)0.026ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd1.6W
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Transistor Case StyleSuperSOT
Power Dissipation1.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)
Aperçu du produit
The FDC608PZ is a 2.5V specified P-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited for battery power, load switching, battery power circuits and DC-to-DC conversion applications.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
Applications
Power Management, Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
30mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.6W
Transistor Case Style
SuperSOT
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.8A
On Resistance Rds(on)
0.026ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour FDC608PZ
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (10-Jun-2022)
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Certificat de conformité du produit