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FDC6306P
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 1.9 A
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC6306PCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Bobine complète67R2030
Bandes découpées38C7094
Gamme de produitPowerTrench Series
Votre numéro de pièce
18 000 En Stock
18 000 disponibles sur {packagingType}
18 000 disponibles sur {packagingType}
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 3000 | 0,415 $ | 1 245,00 $ |
| Total Prix | 1 245,00 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,415 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,420 $ |
| 6000+ | 0,395 $ |
| 12000+ | 0,376 $ |
| 18000+ | 0,356 $ |
| 30000+ | 0,345 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC6306PCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Bobine complète67R2030
Bandes découpées38C7094
Gamme de produitPowerTrench Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Continuous Drain Current Id1.9A
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel1.9A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.17ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel960mW
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDC6306P is a dual P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. This device has been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the bigger more expensive packages are impractical. It is suitable for use with load switch and battery protected applications.
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Small footprint
- Low profile
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.9A
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
1.9A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.17ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
960mW
Product Range
PowerTrench Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit