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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC6306P
Code Commande38C7094
Gamme de produitPowerTrench Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 14 semaine(s)
Quantité | Prix |
---|---|
2500+ | 0,337 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
1 011,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC6306P
Code Commande38C7094
Gamme de produitPowerTrench Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Continuous Drain Current Id1.9A
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel1.9A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel170mohm
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel960mW
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench Series
Qualification-
Aperçu du produit
The FDC6306P is a dual P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. This device has been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the bigger more expensive packages are impractical. It is suitable for use with load switch and battery protected applications.
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Small footprint
- Low profile
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.9A
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
1.9A
Drain Source On State Resistance P Channel
170mohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
960mW
Product Range
PowerTrench Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour FDC6306P
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit