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FDC6401N
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 3 A, 0.07 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC6401NCopie
Code Commande
Mise en bobine82C2449
Bandes découpées82C2449
Votre numéro de pièce
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,670 $ | 1,67 $ |
| Total Prix | 1,67 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,670 $ |
| 25+ | 1,090 $ |
| 50+ | 0,916 $ |
| 100+ | 0,748 $ |
| 250+ | 0,676 $ |
| 500+ | 0,604 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDC6401NCopie
Code Commande
Mise en bobine82C2449
Bandes découpées82C2449
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel3A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.07ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel960mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDC6401N is a dual N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS (ON) and fast switching speed. The device is suitable for use with DC-to-DC converters and battery protected applications.
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- ±12V Gate to source voltage
- 3A Continuous drain/output current
- 12A Pulsed drain/output current
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
3A
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.07ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation N Channel
960mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDC6401N
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit