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FDD3706
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 50 A, 0.0075 ohm, TO-252AA, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDD3706Copie
Code Commande
Mise en bobine31Y1355RL
Bandes découpées31Y1355
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDD3706Copie
Code Commande
Mise en bobine31Y1355RL
Bandes découpées31Y1355
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance7500µohm
On Resistance Rds(on)0.0075ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd44W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation44W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (19-Jan-2021)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
7500µohm
Transistor Case Style
TO-252AA
Power Dissipation Pd
44W
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
On Resistance Rds(on)
0.0075ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
44W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (19-Jan-2021)
Documents techniques (4)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (19-Jan-2021)
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Certificat de conformité du produit