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FDM3622
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 4.4 A, 0.06 ohm, Power 33, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDM3622Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande
Bobine complète64K0972
Bandes découpées87W8826
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 15 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 3000 | 1,360 $ | 4 080,00 $ |
| Total Prix | 4 080,00 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,360 $ |
| 6000+ | 1,330 $ |
| 9000+ | 1,300 $ |
| 15000+ | 1,280 $ |
| 30000+ | 1,250 $ |
| 75000+ | 1,220 $ |
| 150000+ | 1,200 $ |
| 300000+ | 1,170 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,260 $ |
| 9000+ | 1,230 $ |
| 15000+ | 1,210 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDM3622Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande
Bobine complète64K0972
Bandes découpées87W8826
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id4.4A
On Resistance Rds(on)0.044ohm
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.1W
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StylePower 33
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation2.1W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDM3622 is a N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.
- Low miller charge
- Low Qrr body diode
- Optimized efficiency at high frequencies
- UIS Capability (single pulse and repetitive Pulse Formerly developmental type 82744)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.044ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.4A
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Power Dissipation Pd
2.1W
Transistor Case Style
Power 33
Power Dissipation
2.1W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit