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FDMA1029PZ
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 3.1 A
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMA1029PZCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant40 semaines
Code Commande04M9096
Votre numéro de pièce
18 000 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,451 $ |
| 6000+ | 0,424 $ |
| 12000+ | 0,404 $ |
| 18000+ | 0,383 $ |
| 30000+ | 0,370 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
1 353,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMA1029PZCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant40 semaines
Code Commande04M9096
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Continuous Drain Current Id3.1A
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel3.1A
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel0.06ohm
Transistor Case StyleµFET
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel1.4W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDMA1029PZ is a dual P-channel PowerTrench® MOSFET designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other ultra-portable applications. It has two independent P-channel MOSFETs with low ON-state resistance for minimum conduction losses. When connected in the typical common source configuration, bidirectional current flow is possible. The MicroFET thin package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to linear mode applications.
- Low profile
- Halogen-free
- ±12V Gate to source voltage
- -3.1A Continuous drain current
- 6A Pulsed drain current
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.1A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.06ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.4W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
3.1A
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
µFET
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit