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FDMA410NZ
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 9.5 A, 23 mohm, MicroFET, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMA410NZCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant47 semaines
Code Commande07R8501
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 47 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,731 $ |
| 6000+ | 0,693 $ |
| 9000+ | 0,679 $ |
| 15000+ | 0,665 $ |
| 30000+ | 0,652 $ |
| 75000+ | 0,638 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
2 193,00 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMA410NZCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant47 semaines
Code Commande07R8501
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id9.5A
On Resistance Rds(on)0.023ohm
Drain Source On State Resistance23mohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd900mW
Transistor Case StyleMicroFET
Gate Source Threshold Voltage Max700mV
Power Dissipation900mW
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.023ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
900mW
Gate Source Threshold Voltage Max
700mV
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
9.5A
Drain Source On State Resistance
23mohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
MicroFET
Power Dissipation
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit