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FDMA410NZ
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 9.5 A, 23 mohm, MicroFET, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 18 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,683 $ |
| 6000+ | 0,631 $ |
| 12000+ | 0,593 $ |
| 18000+ | 0,554 $ |
| 30000+ | 0,530 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
2 049,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMA410NZ
Code Commande07R8501
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id9.5A
Drain Source On State Resistance23mohm
On Resistance Rds(on)0.023ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd900mW
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max700mV
Transistor Case StyleMicroFET
Power Dissipation900mW
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
23mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
MicroFET
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
9.5A
On Resistance Rds(on)
0.023ohm
Power Dissipation Pd
900mW
Gate Source Threshold Voltage Max
700mV
Power Dissipation
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit