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FDMA420NZ
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 5.7 A, 30 mohm, MicroFET, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMA420NZCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Bobine complète86K1355
Mise en bobine79R1467
Bandes découpées79R1467
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 16 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 3000 | 1,110 $ | 3 330,00 $ |
| Total Prix | 3 330,00 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,110 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,484 $ |
| 9000+ | 0,476 $ |
| 15000+ | 0,448 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMA420NZCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Bobine complète86K1355
Mise en bobine79R1467
Bandes découpées79R1467
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id5.7A
Drain Source On State Resistance30mohm
On Resistance Rds(on)0.0168ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd2.4W
Transistor Case StyleMicroFET
Gate Source Threshold Voltage Max830mV
Power Dissipation2.4W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDMA420NZ is a single N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process to optimize the RDS (ON) at VGS=2.5V on special MicroFET lead-frame. It is suitable for use in Li-ion battery pack.
- Halogen-free
- <gt/>2.5kV Typical HBM ESD protection level
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
30mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.4W
Gate Source Threshold Voltage Max
830mV
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.7A
On Resistance Rds(on)
0.0168ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
MicroFET
Power Dissipation
2.4W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit