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FDMC3612
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 16 A, 0.11 ohm, WDFN, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMC3612Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande88T3260
Votre numéro de pièce
815 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,490 $ |
| 10+ | 0,939 $ |
| 100+ | 0,619 $ |
| 500+ | 0,481 $ |
| 1000+ | 0,437 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
1,49 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMC3612Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande88T3260
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id16A
On Resistance Rds(on)0.092ohm
Drain Source On State Resistance0.11ohm
Transistor Case StyleWDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd35W
Power Dissipation35W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.092ohm
Transistor Case Style
WDFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
35W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
16A
Drain Source On State Resistance
0.11ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
35W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit