Imprimer la page
FDMS3572
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 8.8 A, 0.0165 ohm, Power 56, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMS3572Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant24 semaines
Code Commande
Mise en bobine61M6269RL
Bandes découpées61M6269
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 5,280 $ | 5,28 $ |
| Total Prix | 5,28 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,280 $ |
| 50+ | 2,660 $ |
| 100+ | 2,410 $ |
| 250+ | 2,180 $ |
| 500+ | 1,960 $ |
| 1000+ | 1,920 $ |
| 2500+ | 1,880 $ |
| 5000+ | 1,850 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDMS3572Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant24 semaines
Code Commande
Mise en bobine61M6269RL
Bandes découpées61M6269
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id8.8A
Drain Source On State Resistance0.0165ohm
On Resistance Rds(on)0.0165ohm
Transistor Case StylePower 56
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.5W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.2V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDMS3572 is an UItraFET Trench® N-channel MOSFET combines characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. Optimized for RDS (ON), low ESR, low total and Miller gate charge. It is ideal for high frequency DC to DC converters.
- Low Miller charge
- Optimized efficiency at high frequencies
Applications
Power Management, Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8.8A
On Resistance Rds(on)
0.0165ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0165ohm
Transistor Case Style
Power 56
Power Dissipation Pd
2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
3.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDMS3572
1 produit trouvé
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit