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FDN302P
MOSFET Transistor, P Channel, -2.4 A, -20 V, 55 mohm, -4.5 V, -1 V RoHS Compliant: Yes
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 23 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,237 $ |
| 6000+ | 0,235 $ |
| 12000+ | 0,232 $ |
| 18000+ | 0,226 $ |
| 30000+ | 0,219 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
711,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDN302P
Code Commande87X5240
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.4A
On Resistance Rds(on)0.055ohm
Drain Source On State Resistance0.055ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd500mW
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.055ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.4A
Drain Source On State Resistance
0.055ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
500mW
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits