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FDN335N
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 1.7 A, 70 mohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDN335NCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant31 semaines
Code Commande
Mise en bobine58K1462
Bandes découpées58K1462
Votre numéro de pièce
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,020 $ | 1,02 $ |
| Total Prix | 1,02 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,020 $ |
| 25+ | 0,626 $ |
| 50+ | 0,515 $ |
| 100+ | 0,402 $ |
| 250+ | 0,355 $ |
| 500+ | 0,306 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDN335NCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant31 semaines
Code Commande
Mise en bobine58K1462
Bandes découpées58K1462
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1.7A
On Resistance Rds(on)0.055ohm
Drain Source On State Resistance70mohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd500mW
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDN335N is a N-channel 2.5V specified MOSFET uses advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.
- Low gate threshold voltage
- High performance trench technology for extremely low RDS
- High power and current handling capability
Applications
Power Management, Industrial
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.055ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
500mW
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.7A
Drain Source On State Resistance
70mohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit