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FDN342P
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2 A, 0.062 ohm, SuperSOT, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
29 400 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,319 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
957,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDN342PCopie
Code Commande58K1465
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source On State Resistance0.062ohm
On Resistance Rds(on)0.062ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd500mW
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.05V
Transistor Case StyleSuperSOT
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDN342P is a 2.5V specified P-channel MOSFET produced using rugged gate version of advanced PowerTrench® process. It has been optimized for load switch and battery protection applications requiring a wide range of gate drive voltage ratings (2.5 to 12V).
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.062ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SuperSOT
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2A
On Resistance Rds(on)
0.062ohm
Power Dissipation Pd
500mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1.05V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit