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FDN360P
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SuperSOT, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDN360PCopie
Code Commande
Bobine complète87X5244
Mise en bobine58K1466
Bandes découpées58K1466
Votre numéro de pièce
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,932 $ | 0,93 $ |
| Total Prix | 0,93 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,932 $ |
| 25+ | 0,572 $ |
| 50+ | 0,470 $ |
| 100+ | 0,367 $ |
| 250+ | 0,323 $ |
| 500+ | 0,278 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,209 $ |
| 6000+ | 0,199 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDN360PCopie
Code Commande
Bobine complète87X5244
Mise en bobine58K1466
Bandes découpées58K1466
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source On State Resistance0.08ohm
On Resistance Rds(on)0.08ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd500mW
Transistor Case StyleSuperSOT
Gate Source Threshold Voltage Max20V
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDN360P is a surface mount, single P channel PowerTrench MOSFET in superSOT-23 package. PowerTrench process has been tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate charge for superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications.
- High performance trench technology for extremely low Rds(ON)
- Low gate charge typically 6.2nC
- Drain to source voltage (Vds) of -30V
- Gate to source voltage of ±20V
- Continuous drain current (Id) of -2A at 25°C
- Power dissipation (Pd) of 500mW
- Low on state resistance of 100mohm at Vgs -4.5V
- Operating temperature range from -55°C to 150°C
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
500mW
Gate Source Threshold Voltage Max
20V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
2A
On Resistance Rds(on)
0.08ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDN360P
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Produits associés
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit