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FDS6576
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS6576Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande
Mise en bobine34C0170
Bandes découpées34C0170
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 18 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 2500 | 2,090 $ | 5 225,00 $ |
| Total Prix | 5 225,00 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 2,090 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS6576Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande
Mise en bobine34C0170
Bandes découpées34C0170
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source On State Resistance0.014ohm
On Resistance Rds(on)0.014ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd2.5W
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max830mV
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDS6576 is a 2.5V specified P-channel MOSFET in a rugged gate version of advanced PowerTrench® process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5 to 12V). It can be used in load switch and battery protection.
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handing capability
- 43nC typical low gate charge
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.014ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
830mV
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
11A
On Resistance Rds(on)
0.014ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit