Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS9431ACopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Bobine complète67R2081
Bandes découpées38C7184
Votre numéro de pièce
4 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison standard gratuite
pour les commandes de plus de 200$
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,640 $ | 1,64 $ |
| Total Prix | 1,64 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,640 $ |
| 50+ | 1,090 $ |
| 100+ | 0,776 $ |
| 250+ | 0,708 $ |
| 500+ | 0,641 $ |
| 1000+ | 0,598 $ |
| 2500+ | 0,585 $ |
| 5000+ | 0,574 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,560 $ |
| 7500+ | 0,528 $ |
| 12500+ | 0,517 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS9431ACopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Bobine complète67R2081
Bandes découpées38C7184
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.5A
Drain Source On State Resistance0.13ohm
On Resistance Rds(on)0.13ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.5W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
Transistor Case StyleSOIC
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The FDS9431A is a 2.5V specified P-channel MOSFET produced using high cell density DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is suitable for DC-to-DC converter, load switch and battery protection.
- Fast switching speed
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.13ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.5A
On Resistance Rds(on)
0.13ohm
Power Dissipation Pd
2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits
