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FabricantONSEMI
Réf. FabricantMGSF1N02LT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande85W3162
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 15 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,213 $ |
| 6000+ | 0,199 $ |
| 9000+ | 0,195 $ |
| 15000+ | 0,190 $ |
| 30000+ | 0,187 $ |
| 75000+ | 0,183 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
639,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMGSF1N02LT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande85W3162
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id750mA
Drain Source On State Resistance0.09ohm
On Resistance Rds(on)0.075ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd400mW
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Transistor Case StyleSOT-23
Power Dissipation400mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The MGSF1N02LT1G is a N-channel miniature surface-mount Power MOSFET with low RDS (ON) assure minimal power loss and conserve energy. The device is ideal for use in space sensitive power management circuitry. It is suitable for DC-to-DC converters, power management in portable and battery-powered products such as printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.
- Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
- Miniature surface-mount package saves board space
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applications
Portable Devices, Consumer Electronics, Power Management, Computers & Computer Peripherals, Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.09ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
400mW
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
750mA
On Resistance Rds(on)
0.075ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
Power Dissipation
400mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (4)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
